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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 越来越多的功能 | 引脚数 | 外壳材料 | 供应商器件包装 | 材料 | 介电材料 | 房屋材料 | 本体材质 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 触点材料 - 电镀 | 表面贴装的焊盘尺寸 | 厂商 | Voltage Rating AC | 操作温度 | 包装 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 温度系数 | 连接器类型 | 类型 | 电阻 | 定位的数量 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 颜色 | 应用 | 性别 | 功率(瓦特) | 附加功能 | 电容量 | 紧固类型 | 子类别 | 额定电流 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 方向 | 终端形式 | 屏蔽/屏蔽 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 入口保护 | 样式 | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 频率稳定性 | 绝缘颜色 | 输出量 | 外壳完成 | 引脚数量 | 外壳尺寸-插入 | 触点表面处理 | 终端样式 | JESD-30代码 | 功能 | 基本谐振器 | 最大电流源 | 资历状况 | 执行器类型 | ESR（等效串联电阻） | 引线间距 | 面板开孔尺寸 | 配置 | 通道数量 | 极化 | 阻抗 | 操作模式 | 功率耗散 | 外壳尺寸，MIL | 箱体转运 | 扩频带宽 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 电缆开口 | 甲板数量 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 操作力 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 螺纹尺寸 | 极性/通道类型 | 产品类别 | 连续放电电流(ID) | 定位/联系数 | 包括 | 触点定时 | 第一个连接器 | 第二个连接器 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 内部开关 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 索引停止 | 每层电路 | 面板后深度 | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 每个甲板的杆数 | 最大耗散功率(Abs) | 投掷角度 | 绝对牵引范围 (APR) | 场效应管特性 | 本体颜色 | 最大rds | 面板孔尺寸 | 业界认可的配合直径 | 实际直径 | 信号线 | 配套长度/深度 | 产品 | 连接类型 | 特征 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 触点表面处理厚度 - 配套 | 执行器长度 | 辐射硬化 | 评级结果 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | AP4407 | ADVANCED POWER TECHNOLOGY | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | U-33851 | Turck | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AP3601N | Vicor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | VG1845ANH9T4IGA | Johnson Controls | , | 未说明 | 有 | 接触制造商 | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP | 5.75 | 未说明 | compliant | Threaded | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AP2310 | Banner Engineering | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | HVX250A1-4A1N1C2 | Cutler Hammer, Div of Eaton Co | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DDAM35T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 面板安装 | SP3 | Flange | 铝合金 | SP3 | ITT Cannon, LLC | 50V | Bulk | Metal | CA310 | 活跃 | Silver | 72 | 72A | -55°C ~ 125°C | MIL-DTL-5015, CA-B | Crimp | Receptacle, Female Sockets | 16 | 橄榄色 | 反向卡口锁 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | N (Normal) | - | IP67 - Dust Tight, Waterproof | 22A, 41A | 橄榄色镉 | 24-7 | 2 N-Channel (Dual) | - | 416W | 35mOhm @ 72A, 10V | 3.9V @ 5.4mA | 14000pF @ 25V | 518nC @ 10V | 600V | Dual N | - | - | Discrete Semiconductor Modules | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80A15SCTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | SP4 | SiTime | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | Strip | 活跃 | 28 | APTC80 | 28A | -40°C ~ 85°C | Tube | SiT1602B | 0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm) | XO (Standard) | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2.25V ~ 3.63V | 40.5 MHz | ±20ppm | HCMOS, LVCMOS | Enable/Disable | MEMS | 4.5mA | 2 N-Channel (Half Bridge) | - | 277W | 150mOhm @ 14A, 10V | 3.9V @ 2mA | 4507pF @ 25V | 180nC @ 10V | 800V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | - | Discrete Semiconductor Modules | 0.031 (0.80mm) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120TAM33CTPAG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Radial, Can - Screw Terminals | SP6-P | - | United Chemi-Con | Bulk | 活跃 | 50 V | 2000 Hrs @ 105°C | 78 | APTMC120 | 78A (Tc) | -40°C ~ 105°C | U32D | 3.000 Dia (76.20mm) | -10%, +50% | 通用型 | 33 mF | Silicon Carbide (SiC) | - | 1.252 (31.80mm) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | Polar | 370 | 370W | 33mOhm @ 60A, 20V | 2.2V @ 3mA (Typ) | 2850pF @ 1000V | 148nC @ 20V | 1200V (1.2kV) | Dual N | - | 5.118 (130.00mm) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120A20DG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | PEI-Genesis | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | Bulk | 活跃 | 50 | APTM120 | 50A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | * | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1250W | 240mOhm @ 25A, 10V | 5V @ 6mA | 15200pF @ 25V | 600nC @ 10V | 1200V (1.2kV) | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7K5R6-30E，115 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | LFPAK56D | NXP USA Inc. | Bulk | 40A | 活跃 | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 64W | 2 N-Channel (Dual) | 5.6mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 1969pF @ 25V | 29.7nC @ 10V | 30V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RZM001P02T2CL | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Rohm Semiconductor | VG7443NT+822E01 | Johnson Controls | Tape & Reel (TR) | 活跃 | * | Threaded | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8M8FD5TB1 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOP | Rohm Semiconductor | Name Brand Replacements™ | Tape & Reel (TR) | 6A (Ta), 4.5A (Ta) | Obsolete | 150°C | - | 2W (Ta) | N and P-Channel | 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 520pF @ 10V, 850pF @ 10V | 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V | 30V | Logic Level Gate, 4V Drive | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG6602SVTQ-7-52 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TSOT-26 | PEI-Genesis | Bulk | 活跃 | DMG6602 | 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | * | MOSFET (Metal Oxide) | N and P-Channel Complementary | 840mW (Ta) | 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V | 2.3V @ 250µA | 400pF @ 15V, 420pF @ 15V | 13nC @ 10V, 9nC @ 10V | 30V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20AM04FG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 面板安装 | SP6 | NO | SP6 | 7 | SILICON | 银合金 | 372 | Bulk | APTM20 | 372A | 活跃 | 200 V | 32 ns | 3 V | 1.25 kW | N-Channel | + 150 C | - 30 V, + 30 V | 3.880136 oz | - 40 C | 1 | 微芯片技术 | 螺钉安装 | Microchip | 微芯片技术 | POWER MOS 7 | 4 mOhms | Details | 88 ns | 372 A | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 未说明 | 150 °C | 有 | APTM20AM04FG | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.62 | 372 A | 115V | 28V | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | 44 | e1 | 有 | 活跃 | EAR99 | Phase Leg | 10 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 1A (AC/DC) | 7 | -- | 焊片 | R-XUFM-X7 | 不合格 | Flatted (6.35mm Dia) | -- | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1 Channel | 增强型MOSFET | 1.25 | ISOLATED | 1250W | 1 | SWITCHING | 5mOhm @ 186A, 10V | 5.761 ~ 83gfm | 5V @ 10mA | 28900pF @ 25V | 560nC @ 10V | 64 ns | 200V | N-CHANNEL | Discrete Semiconductor Modules | Non-Shorting (BBM) | 0.005 Ω | 1488 A | 固定式 | SP10T | 26.04mm | 200 V | Dual N | 3000 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1 | 30° | - | 功率MOSFET模块 | -- | Discrete Semiconductor Modules | 21.9 mm | 108 mm | 62 mm | 11.10mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 面板安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | 银合金 | 39 | Bulk | APTC60 | 39A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 115V | 28V | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | 44 | 活跃 | 7 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 1A (AC/DC) | -- | 焊片 | Flatted (6.35mm Dia) | -- | 4 N-Channel (Half Bridge) | 250W | -- | 70mOhm @ 39A, 10V | 5.761 ~ 83gfm | 3.9V @ 2.7mA | 7000pF @ 25V | 259nC @ 10V | 600V | Discrete Semiconductor Modules | Non-Shorting (BBM) | 固定式 | SP7T | -- | Dual N | 1 | 30° | - | -- | Discrete Semiconductor Modules | 11.10mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20HM08FG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 面板安装 | SP6 | NO | SP6 | 12 | SILICON | 未说明 | 150 °C | 微芯片技术 | 有 | APTM20HM08FG | RECTANGULAR | 4 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.21 | 208 A | 28V | 银合金 | 208 | Bulk | APTM20 | 208A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | FLANGE MOUNT | 115V | 1 | UNSPECIFIED | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | 42 | e1 | 有 | 活跃 | EAR99 | 4 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 1A (AC/DC) | 12 | -- | 焊片 | R-XUFM-X12 | 不合格 | Flatted (6.35mm Dia) | -- | 4 N-Channel (Half Bridge) | 增强型MOSFET | 781 | ISOLATED | 781W | 2 | SWITCHING | 10mOhm @ 104A, 10V | 5.761 ~ 83gfm | 5V @ 5mA | 14400pF @ 25V | 280nC @ 10V | 200V | N-CHANNEL | Discrete Semiconductor Modules | Non-Shorting (BBM) | 0.01 Ω | 832 A | 固定式 | DP4T | 34.82mm | 200 V | Dual N | 3000 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2 | 36° | - | 轴和面板密封 | Discrete Semiconductor Modules | 11.10mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10TAM09FPG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Panel Mount, Through Hole, Right Angle | SP6 | SP6-P | 微芯片技术 | 银合金 | 139 | Bulk | APTM10 | 139A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 115V | 28V | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | 42 | 活跃 | 5 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 1A (AC/DC) | -- | PC引脚 | Flatted (6.35mm Dia) | -- | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 390W | 5 | 10mOhm @ 69.5A, 10V | 5.761 ~ 83gfm | 4V @ 2.5mA | 9875pF @ 25V | 350nC @ 10V | 100V | Discrete Semiconductor Modules | Non-Shorting (BBM) | 固定式 | SP5T | 61.19mm | Dual N | 1 | 36° | - | -- | Discrete Semiconductor Modules | 11.10mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80H29T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 矩形盒 | SP3 | Polyester, Metallized | 微芯片技术 | Bulk | APTC80 | 15A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -- | 250V | -- | 15 | -25°C ~ 70°C | Bulk | QPC | 1.811 L x 0.512 W (46.00mm x 13.00mm) | ±10% | 活跃 | -- | 电机运行 | 3µF | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | -- | 4 N-Channel (Half Bridge) | 156W | 290mOhm @ 7.5A, 10V | 3.9V @ 1mA | 2254pF @ 25V | 90nC @ 10V | 800V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | -- | Discrete Semiconductor Modules | 0.965 (24.50mm) | -- | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM45B1G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | -- | SP1 | 1 | SP1 | -- | -- | -- | 微芯片技术 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 100 ns | 2 | -- | -- | -- | 49 | Bulk | APTC60 | 49A | -- | -- | -- | Obsolete | -- | -- | 150 °C | -40 °C | -- | Discrete Semiconductor Modules | 250 W | MOSFET (Metal Oxide) | -- | -- | 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) | 250 W | 21 ns | 250W | -- | 45mOhm @ 24.5A, 10V | 3.9V @ 3mA | 7200pF @ 25V | 150nC @ 10V | 30 ns | 600V | -- | Discrete Semiconductor Modules | 49 A | -- | -- | 20 V | -- | 7.2 nF | Dual N | - | -- | 45 mΩ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Discrete Semiconductor Modules | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10HM09FT3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | APTM10 | 139A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -- | 139 | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | * | 活跃 | -- | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 390 | 390W | 10mOhm @ 69.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 9875pF @ 25V | 350nC @ 10V | 100V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100TA35FPG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6-P | 微芯片技术 | -- | 6GHz | 1.13mm OD Coaxial Cable | 22 | Bulk | APTM100 | 22A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -- | Tube | -- | 活跃 | -- | -- | 母转公 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | RP-SMA to UMC | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 50 Ohms | 390W | 420mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 2.5mA | 5200pF @ 25V | 186nC @ 10V | 1000V (1kV) | Discrete Semiconductor Modules | RP-SMA Female Jack, Male Pin | Ultra Miniature Coaxial Plug, Female Socket, Right Angle | Dual N | - | -- | Discrete Semiconductor Modules | 1.969 (50.00mm) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCMC170AM08CT6LIAG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SP6C LI | 11 | 碳化硅 | PEI-Genesis | Bulk | 活跃 | MSCMC170 | 280A (Tc) | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | -40 °C | 150 °C | 有 | MSCMC170AM08CT6LIAG | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.74 | 280 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | * | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | R-XUFM-X11 | SERIES, 2 ELEMENTS | 增强型MOSFET | ISOLATED | 1780W (Tc) | 2 N Channel (Phase Leg) | SWITCHING | 11.7mOhm @ 300A, 20V | 4V @ 108mA | 22000pF @ 1000V | 1128nC @ 20V | 1700V (1.7kV) | N-CHANNEL | 280 A | 0.0117 Ω | 560 A | 1700 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1780 W | Silicon Carbide (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN1001UCA10-7 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 10-SMD, No Lead | X2-TSN1820-10 | Diodes Incorporated | 20A | 3000 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Tape & Reel (TR) | 20A (Ta) | 活跃 | MSL 1 - Unlimited | - | N通道 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 切割胶带 | - | MOSFETs | Si | 1W | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 3.55mOhm @ 5A, 4.5V | 1.4V @ 870µA | 2865pF @ 6V | 29nC @ 4V | 12V | MOSFET | N通道 | Standard | MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW217--NMM-TL-E | Sanyo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DUM05TG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 0603 (1608 Metric) | 0603 | KOA Speer Electronics, Inc. | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®; | RN73H1J | 活跃 | -55°C ~ 155°C | RN73H | 0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm) | ±0.05% | 2 | ±5ppm/°C | 37.4 kOhms | Metal Film | 0.1W, 1/10W | Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant | 0.022 (0.55mm) | AEC-Q200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTSM120AM08CT6AG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Cast Iron | GR-BM818-40-D-48 | Grove Gear | 5.84 | MICROSEMI CORP | Obsolete | EAR99 | compliant | C-Face Coupled | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120AM12CT3AG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | Bulk | APTMC120 | 220A (Tc) | 活跃 | 1 | 微芯片技术 | Details | Turck | U2-24042 | 220 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | Silicon Carbide (SiC) | 2 N Channel (Phase Leg) | 925 | 925W | 12mOhm @ 150A, 20V | 2.4V @ 30mA (Typ) | 8400pF @ 1000V | 483nC @ 20V | 1200V (1.2kV) | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules |
-
AP4407
ADVANCED POWER TECHNOLOGY
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
AP3601N
Vicor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
AP2310
Banner Engineering
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTC60DDAM35T3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTC80A15SCTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTMC120TAM33CTPAG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTM120A20DG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
BUK7K5R6-30E，115
NXP
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
RZM001P02T2CL
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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SP8M8FD5TB1
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
DMG6602SVTQ-7-52
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTM20AM04FG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTC60HM70T3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM20HM08FG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM10TAM09FPG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTC80H29T3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTC60AM45B1G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTM10HM09FT3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
APTM100TA35FPG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
MSCMC170AM08CT6LIAG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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